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深圳市嘉林电子有限公司

可控硅,IGBT,电容,场效应管,MOSFET,驱动电路,整流桥,单相整流桥,光耦,无...

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IGBT突波吸收电容
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产 品: 浏览次数:350IGBT突波吸收电容 
单 价: 6.00元/台 
最小起订量: 1 台 
供货总量: 1 台
发货期限: 自买家付款之日起 7 天内发货
更新日期: 2010-08-16  有效期至:2020-01-17 [已过期]
详细信息
IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,
多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路

材料特性
电容结构: 双层金属化膜,内部串联结构
封装: 阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0 )标准.
尺寸: 适合于各种IGBT保护 。(可按客户需求定制特殊规格)
电气特性
电容量: 0.0047 to 6.8μF,参考表格数据
额定电压: 700 to 3000 Vdc
损耗角正切: 测试条件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
绝缘电阻: 3000s,s= MΩ. μF 测试条件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s,t 25±5℃,1Min
工作温度: -40~+85℃
以上产品全新原装进口,有现货,直接代理商,有价格优势
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